Transport, correlation, and structural defects

edited by Hellmut Fritzsche.

Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, ©1990.

x, 305 págs. : ilustraciones ; 23 cm.

Serie: Advances in disordered semiconductors ; v. 3

ISBN: 9971509733

Incluye indices.

Incluye referencias bibliográficas.