Catálogo Bibliográfico
LDR | ·····ntm##22·····5a#4500 |
001 | 017210 |
005 | 20120511114624.0 |
008 | 110331s2010####ag#d###f#bm####01##0spa|d |
245 | 10 | $a Aleaciones semiconductoras con GAP ajustable : $b estructura electrónica de Ge_1-xSn_x / $c José Daniel Querales Flores. |
260 | ## | $c 2010. |
300 | ## | $a 116 p. ; $c 30 cm. |
502 | ## | $a Tesis (maestría, Ciencias Físicas)--Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro, 2010. |
504 | ## | $a Bibliografía: p. 113-116 $b 41. |
500 | ## | $a Director de tesis: Cecilia I. Ventura. |
500 | ## | $a Co-director de tesis: Rafael Barrio. |
500 | ## | $a Incluye índice. |
506 | ## | $a CONSULTA RESTRINGIDA |
100 | 1# | $a Querales Flores, José D. $4 dis |
700 | 1# | $a Ventura, Cecilia I. $4 ths |
700 | 1# | $a Barrio, Rafael. $4 ths |
710 | 2# | $a Universidad Nacional de Cuyo. $b Instituto Balseiro $4 dgg. |
650 | #7 | $a Alloys $x Theses. $2 inist |
650 | #7 | $a Electronic structure $x Theses. $2 inist |
650 | #7 | $a Aleaciones $x Tesis. $2 inist |
650 | #7 | $a Estructura electrónica $x Tesis. $2 inist |
653 | ## | $a GeSn. |
653 | ## | $a Direct GAP. |
653 | ## | $a GAP directo. |
653 | ## | $a Non-substitutional defects. |
653 | ## | $a Defectos no-sustitucionales. |
040 | ## | $a arbccab $b spa |
856 | 41 | $u http://campi.cab.cnea.gov.ar/tocs/21667.pdf $3 Indice. |