Transport, correlation, and structural defects
edited by Hellmut Fritzsche.
Singapore ; Teaneck, N.J. : World Scientific, ©1990.
x, 305 págs. : ilustraciones ; 23 cm.
Serie: Advances in disordered semiconductors ; v. 3
ISBN: 9971509733
Incluye indices.
Incluye referencias bibliográficas.